ШУМАН В.Б.

  1. СИЛОВОЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ВЕНТИЛЬ четьфехслойной структуры р-п-р-п-типа, о т л и ч а-* ю щ и и с я тем, что, с целью ловышения напряжения переключения прибора и его стабильности, первый переход структуры выполнен с внутренним огунтом в виде слоя р-типа, выходящего на поверхность сквозь первый слой п-типа.2.Прибор ПОП.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения напряжения...

  ТИРИСТОР на основе полупроводниковой ' структуры с участком зг, ^^ep- ного слоя, свободного от металлического контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения допустимого значения скорости нарастания тока при включении, длина участка эмиттерного слоя, свободного от металлического контакта, выполнена меньшей или равной длине участка одновременного включения тиристорной структуры...