PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Емельянов А.П.

Изобретатель Емельянов А.П. является автором следующих патентов:

Способ кристаллизации рибофлавина и устройство для его осуществления

Способ кристаллизации рибофлавина и устройство для его осуществления

 1. Способ кристаллизации рибофлавина из солянокислого раствора путем смешения его с водой с последующим охлаждением в кристаллизаторе, отделением кристаллов от маточного раствора и возвращением его в кристаллизатор, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса кристаллизации, маточный раствор возвращают в кристаллизатор двумя потоками в объемном соотношении 3 : 1 - 5 : 1, а подачу со...

862425

Способ получения порошков сверхпроводящей керамики bi - pb - sr - ca - cu - o

Способ получения порошков сверхпроводящей керамики bi - pb - sr - ca - cu - o

 Изобретение относится к технической сверхпроводимости, в частности к процессам синтеза прекурсоров высокотемпературных проводников, и может быть использовано для создания сверхпроводящей керамики и изделий на ее основе, как массивных изделий, так и композиционных длинномерных проводников с керамической сердцевиной (одножильных и многожильных) в металлической оболочке. Способ включает приг...

2136628

Способ получения y-вa-сu-о керамики совместным осаждением из концентрированных растворов

Способ получения y-вa-сu-о керамики совместным осаждением из концентрированных растворов

 Предлагаемое изобретение относится к технологии неорганических материалов, конкретно к способу получения Y-Ba-Cu-О керамики различного состава, в том числе обладающей высокотемпературной сверхпроводимостью. Предварительно готовят раствор нитрита бария с концентрацией 2,27-2,90 моль/л, затем готовят смешанный раствор нитратов иттрия и меди с общей концентрацией 2,73-3,55 моль/л. Оба раство...

2182894

Способ получения плоского сверхпроводника

Способ получения плоского сверхпроводника

 Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу получения сверхпроводников в виде композиционных широких лент и листов с различным числом слоев и жил в слое из высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) соединений, предназначенных для создания электротехнических изделий. Способ получения плоского сверхпроводника включает формирование полой металлической ампулы, заполнение ам...

2207641