PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПОРТНОЙ Е.Л.

Изобретатель ПОРТНОЙ Е.Л. является автором следующих патентов:

Способ изготовления полупроводниковых диодов на основе соединений а в

Способ изготовления полупроводниковых диодов на основе соединений а в

  О П И С -А - - Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик (11) 251096 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15. 01. 68 (21) 1210943/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,01.77.Бюллетень № (45) Дата опубликования описания 06.05.77 (51) M. Кл."Н 01 Н 21/203 Гасударственный комитет Совета Минис...

251096

Инжекционный лазер

Инжекционный лазер

  Жс.. sai-ф,и. Ф Ф ° ) оп ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистимеских Республик (11) 300126 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 05.05.69 (21) 1333240/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01.77.Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания06.05.77 (51) М. Кл. Н 01 $3/19 Н 01 L 31/00 Государственный комите...

300126

Полупроводниковый оптический квантовый генератор

Полупроводниковый оптический квантовый генератор

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДВТВДЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 382875 (61) Дополнительное к авт, свид-ву(22) 3аявлено 19,07,71 (21) 1677436/26»25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01.77.Бюллетень № 1, (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл. Н 01 S 3/19 Государственный комитет Совета Министрав СССР о...

392875

Полупроводниковый лазер с гетеропереходами

Полупроводниковый лазер с гетеропереходами

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (и):5 21806 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— 2 (51) М. Кл. Н 01 S 3/18 (22) Заявлено 06. 11,73 (21) 3.,96 7931/26-25 с присоединением заявки №« (23) Приоритет— Государственный комитет Совета Министров СССР оо делом изобретений и открытий (43) Опубликовано 25.08.7.7.Бюллетень №3...

521806

Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла

Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла

  Ф Мгф 1 И я5 пм -ff, нг1. ь. чоу б,,-, . ., к(тя . -" 1 ч о т ... «1 а л О П И С А Н И »705986 ИЗОБРЕТЕН И К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ Союз Советских Социалистических Республик ф 4 с 1, Ъ l=-: —: т». (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 12.06.78- (21) 2625826/18 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 30.03.82. Бюллетень (45) Дата опу...

705986