КРЮКОВА Н.Н.

  ТИРИСТОР на основе полупроводниковой ' структуры с участком зг, ^^ep- ного слоя, свободного от металлического контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения допустимого значения скорости нарастания тока при включении, длина участка эмиттерного слоя, свободного от металлического контакта, выполнена меньшей или равной длине участка одновременного включения тиристорной структуры...