Пасюта В.М.
Изобретатель Пасюта В.М. является автором следующих патентов:
Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества
Использование: при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы. Сущность изобретения: способ предусматривает перенесение поверхностного слоя слабоконцентрированной жидкой фазы ОРАФВ на подложку под контролем поверхностного давления на границе раздела жидкой...
2137250Микроэлектронная структура на основе "кремний-диэлектрик" для изготовления полупроводниковых приборов и способ ее получения
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др. Технический результат изобретения - обеспечение высокой надежности и электрической стабильности целевого изделия, а также упрощение технологии его изготовления. Сущность: микроэлектронная структура включает кремнийсодержащую пол...
2193255