Лопин М.И.(RU)

 Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит нижней обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы под углублением служит диэлектриком конденсатора, а верхняя обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью то...

 Использование: электронная техника, полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы, экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне и отверстием и металлическое основание с выступом. Отверстие в плате имеет сужение на высоте 1 - 300 мк...