Армин Ханнеберг (DE)

 Для включения высокого отрицательного напряжения (-Vpp), например, в качестве программирующего напряжения на линии слов флеш-накопителя (Flash) указаны два варианта устройств, которые выполнены только на транзисторах того же типа проводимости, что и подложка. Технический результат: за счет этого можно отказаться от глубоких изолированных ванн, которые требуют специальной технологии. 2 с....