КАРПОВА И.В.

  ФОТОРЕЗИСТОР на основе монокристаппического попупровоцника,^ пегврованвого оцнсжремеиво цонормыми и акцепторными примесями апя регистра-i ций нёмоцутгарованного ИК-изпучениЙ! отпичающийся тем, что, с целью получения переменного сигнапа, а также измерения величины излучения по изменению частоты, попупровоциик соцержит примеси в таком количестве,, что отношение концентраций неоснойн...

  1. ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, выполненное в виде пластины с контактами, помещенной в магнитное поле, отпичащееся тем, что с целью получения пороговой чувствительности синусоидальных колебаний токак магнитному попю, пластина имеет по крайней мере один выпрямляюший контакт и легирована примесями в таких концентрациях, при которых возникают рекомбинационные волны.2.Устройство по п...

  I. ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ГЕНЕРАТОР НИЗКИХ ЧАСТОТ на основе полупроводниковой пластины, имеющей два контакта я область, в которой реализованы условия для возникновения колебанийэлёктроннодырочной плазмы типа рекомбинационных волн, отличающийся тем, что, с целью управления частотой к амплитуаой генерируемых, колебаний и снижения порогового напряжения, на поверхности полупровоаншсовой пласти...

  О П И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских ::Социалистических Республик :i>782640 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11.06.79 (21) 2778691, 18-25 (51) М.Кл. Н 01 L 29/82 с присоединением заявки— Тасударстееииый комитет (23I Лриоритет— (43) Опубликовано 23.01.82. Бюллетень № 3 по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382 (088.8) f (45...

  «» 78264l ОПИС НИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сони Соеетскик Социалистических Республик ф. Й к g II 4 (61) Дополнительное х а)вт, свид-ву— (22) Заявлено 27.06.79 (21) 2787954/18-25 с присоединением заявки— (51)м Кл. Н 01 L29/86 государственный комитет СССР Ia делам изобретеиий и открытий (23) Приоритет— (43) Опубликовано 23.01.82. Бюллетень № 3 (45) Дата опу...

  1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛБ1ЧЕНТ, чувствительными к внешним воздействиям, на основе пластины, содержащей цонорную примесь с концентрацией NA и акцепторную примесь с концентра-, цией NA гфи соотношении между ними пленарными катодом и анодом, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, на расстоянии не более 3Lp от катода г расположен индентор, геометрически...