Мизеров М.Н.

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники с применением жидкостной эпитаксии. Целью изобретения является получение непрерывного ряда твердых растворов (Si2)xGaAs1-x на кремниевой подложке. Приготовляют насыщенный раствор - расплав мышьяка в олове и наносят его тонким слоем на пове...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники методом жидкостной эпитаксии. Целью изобретения является получение слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышение их качества за счет улучшения планарности. Эпитаксиальное наращивание ведут из сильно пересыщенного раствора-расплава, что дости...

 Изобретение относится к технике световой сигнализации и может быть использовано для изготовления светофоров, применяемых для регулирования дорожного движения и других аналогичных осветительных устройств. Технический результат заключается в увеличении эффективности осветительного устройства путем создания оптимального распределения светового потока. Предложены четыре варианта осветительног...