PatentDB.ru — поиск по патентным документам

МАСЛОВ В.Н.

Изобретатель МАСЛОВ В.Н. является автором следующих патентов:

Способ изготовления электрета

Способ изготовления электрета

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРЕТА путем воздействия высокого наггряжен'ия от источника постоянного тока на диэлектрический материал, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочего напряжения источника тока и упрощения изготовления, электрический заряд желаемого знака сообщают отдельным зернам электропроводного материала путем зарядки конденсатора, пластины котороговыполнены из ук...

294188

Способ селективного наращивания полупроводниковых однослойных и многомлойных эпитаксильных структур из газовой фазы

Способ селективного наращивания полупроводниковых однослойных и многомлойных эпитаксильных структур из газовой фазы

  У д Ъсес эвзнаее 519045 o ll и с АиииФж п1 ИЗОБРЕТЕН Ия Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.07.74 (21);204997 Э/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.08.78.Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 26.06.78 2 (51) М. Кл. Н Ol J 21/20 Государственный комитет Со...

519045

Твердый источник для эпитаксиального наращивания полупроводниковых монокристаллов

Твердый источник для эпитаксиального наращивания полупроводниковых монокристаллов

  I ! О П И С А Н ЙЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1.!529697 аи163 Соеетекик Социалистические Республик :т . + Ът, (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.10.74 (21) 2069935/26-25 (51) М. Кл,-" Н 011 21/20 с присоединением заявки М Государстееииый копите. Совета Мииистроз СССР по делам иасбретеии!! и открытия (23) Приоритет (43) Оп бликовано 30.08.78. Б!Оллсте ib г"е 32 (45) Дата...

529697

Полупроводниковый датчик давления

Полупроводниковый датчик давления

  СОюз СОВЮтсиих СОциалжтичееиик Реепубпик (61) Лополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 051175 (21) ?184251/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— Н 01 L 29/84 // Н 01 С 10/10 //й 01 Ь 9/04 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 0510",8,6æëëeòåíb,% 37 (53) УДК 621.382 (088.8) . (45) Дата ОП Оликовапия опис...

545214

Полупроводниковый датчик давления

Полупроводниковый датчик давления

  ОПИСАНИЬ ИЗОБРЕТЕН ИЯ (1)549053 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ (61) Дополнителыное к авт. твид-ву— (22) Заявлено 29.10.75 (21) 2181801/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Пр:иоритет— (43) Опубликовано 30.01.79. Бюллетень № 4 (45) Дата опубликования описания 11,03.79 (51) М.Кл Н 01 L 29/84 //Н 01 С 10/10 // G 011 9/04 Государстве...

549053


Способ эпитаксиального выращивания

Способ эпитаксиального выращивания

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советсыик С©QNBtlNCtNVOCRNX Республик

605357

Устройство для эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов

Устройство для эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ЬвтОРСКОМЮ СВИДЕтЕЛЬСТВЮ Союз Советских Социалистических Республик (11) 608376 (51) М. Кл. (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 12.04.76 (21) 2346094/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет Опубликовано 05.02.79г>юллетень № 5 Дата опубликования описания 10.02.79 Н 01 J 21/20 Государственный комитет ссср по делам изооретений...

608376

Управляемый световодный элемент "светотрон

Управляемый световодный элемент "светотрон

  Управляемый световолный элемент , сойе|эжащий петлеобразный учасИзобретение относится к интегральной рптике, преимущественно к аолоконно-оптическим линиями связи и полупроводниковой оптоэлектронике. Известен оптический элемент, выполненный в виде одномодового световода , состоящего из сердцевины и оболочки и имеяйцего петлеобразный участок с малым радиусом кривизны. На петлеобраз...

1085396