ГАШТОЛЬД В.Н.

  < ц 297326 ОПИСАНИЕ ЙЗОБРЕТЕНИЯ, t Союз Советских Социелистических Реслублик I (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.06.68 (21) 1247294/26-9 с присоединением заявки _#_ (23) Приоритет Опубликовано 05,02.75. Бюллетень Мв 5 Дата опубликования описания 08.04.75 (51) М. Кл. Н 01g 13/00 Государственный комитет, Совете Министров СССР ло делом изобретений и открытий...

  ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО , содержащее по крайней мере два полевых транзистора с управляюпщми р-п-переходами, каждый из которых включает области стока, истока, канала , верхнего и нижнего затворов, отличающееся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости проходных вольт-амперных характеристик транзисторов, область канала каждого транзистора неравномерно легирована с градиент...

  1. Элемент памяти для постоянного запоминакнцёго устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа провод 1ости, в приповерхностном слое которой расположены лиффузиониые области второго типа проводимости на поверхности полупроводниковой подложки размещены диэлектрические области с частичным перекрытием одних краев диффузионных областей второго типа проводимости, на п...