ОСТАПОВСКИЙ Л.М.

  < ц 297326 ОПИСАНИЕ ЙЗОБРЕТЕНИЯ, t Союз Советских Социелистических Реслублик I (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.06.68 (21) 1247294/26-9 с присоединением заявки _#_ (23) Приоритет Опубликовано 05,02.75. Бюллетень Мв 5 Дата опубликования описания 08.04.75 (51) М. Кл. Н 01g 13/00 Государственный комитет, Совете Министров СССР ло делом изобретений и открытий...

  ИНТЕГРАЛЬНАЯ СТРУКТУРА, выполненная на полупроводниковой подложке , содержащая полевой транзистор с верхним и нижним затворами и биполярный р-п-р транзистор, изолированные друг от друга р-п переходом,. причем канал полевого и база р-п-р транзисторов имеют равномерное рас .пределение примеси противоположного подложке типа проводимости, верхний затвор полевого и эмиттер р-п-р-тран...