Кормишина Ж.А.

 Использование: в области производства полупроводниковых приборов, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов. Сущность изобретения: способ включает термокомпрессионное соединение окисленных рабочей кремниевой пластины с пластиной-носителем и абразивно-химическое утонение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя. Перед термокомпрессионным соединением в рабочей пластине пу...

 Использование: для анализа структурных дефектов в кристаллах на различных этапах изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: производят деформирование кристалла приложением к нему механической нагрузки, затем производят химическое травление в избирательно действующем на дефекты растворе, кристалл до травления деформируют путем обработки ег...