Пырченков В.Н.

 Использование: в микроэлектронике при измерении и испытаниях микросхем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в устройстве для контроля электрических параметров, содержащем подложку 4, рамку 3, в центре отверстия которой размещен кристалл с измеряемой микросхемой 1, проводники 6 с измерительными контактными площадками 7 размещены на внешней поверхности диэлектрической пленки...

 Использование: микроэлектроника, при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: способ включает погружение одного или нескольких полупроводниковых кристаллов, размещенных на носителе - вакуумном захвате, в расплав эвтектического состава, нанесенный на нагретую подложку, охлаждение кристаллизующегося монолита и формирование коммутации. При этом эвтектический...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. Многокристальный модуль содержит несколько полупроводниковых кристаллов, контактные площадки которых расположены на одном уровне, а межкристальное пространство заполнено безусадочной конструктивной связкой, не выступающей за лицевую поверхность, которая формирует моно...