Максутов А.И.

 Использование: микроэлектроника. Прибор может быть выполнен в виде управляемого напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. На приборе могут быть выполнены управляемые напряжением линии передачи. Полупроводниковый прибор содержит низкопроводящий или изолирующий слой (5), на одной поверхности которого сформирован проводящий участок (6), на другой поверхности которог...

 Использование: при построении транзисторов с высоким входным сопротивлением и с любым, в том числе линейным, видом передаточной характеристики. Сущность изобретения: транзистор содержит области эмиттера, базы и коллектора с омическими контактами к ним. Поверх эмиттерной области (у<0), сформированной в рабочей области (0хх0, F1(х)ZF2(x), 0yD(x)), выполнен управляющий электрод из полупро...