PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Камилов И.К.

Изобретатель Камилов И.К. является автором следующих патентов:

Акустоустойчивый индукционный датчик магнитного поля

Акустоустойчивый индукционный датчик магнитного поля

 Изобретение относится к области измерений слабых переменных магнитных полей. Акустоустойчивый индукционный датчик (АУИД) магнитного поля содержит полый цилиндрический сердечник в виде расположенных друг за другом ферритовых колец 1, 2 одинаковой формы из магнитомягкого материала, чередующихся с положительным и отрицательным знаками магнитострикции, и многовитковую измерительную обмотку 3....

1422859

Легирующее покрытие для литейных форм и стержней

Легирующее покрытие для литейных форм и стержней

 Изобретение относится к отрасли литейного производства, в частности к получению отливок с легированной поверхностью, позволяющей работать в условиях действия кавитации, коррозии гидроабразивного износа, интенсивного трения скольжения. Сущность изобретения состоит в следующем: легирующее покрытие содержит карбид бора, порошки алюминия, оксиды хрома и титана в таком количестве, что при взаи...

2058212

Способ нанесения пленок

Способ нанесения пленок

 Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике. Сущность: на поверхность образца наносят монослой амфифильных молекул (пленка Лэнгмюра-Блоджетт), в состав полярных головок которых входят химические элементы или соединения, пленку из которых требуется получить, затем термическим, оптическим или химическим...

2102814

Способ получения нитевидных кристаллов оксида цинка

Способ получения нитевидных кристаллов оксида цинка

 Изобретение может быть использовано в полупроводниковом материаловедении. Сущность изобретения: рост нитевидных кристаллов оксида цинка осуществляют на воздухе с использованием излучения CO2- лазера непрерывного действия. Изобретение позволяет получать нитевидные кристаллы без затравок и кристаллизационных камер. 1 ил. Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения. Р...

2131951

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе

 Изобретение может быть использовано в цветной металлургии при получении сплавов, содержащих титан. Сущность изобретения: порошки титана и никеля перемешивают, засыпают в тигель и нагревают в вакуумной печи до температур, на 20-40oC превышающих точку плавления интерметаллида титан - никель, выдерживают при этих температурах в пределах 3 ч, после чего осуществляют направленную кристаллизаци...

2132415


Способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках

Способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках

 Использование: в электронной технике. Сущность: предложен способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках из стекла, керамики, плавленого кварца, тугоплавкого металла или полупроводника с отличными от оксида цинка постоянными решеток - методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обес...

2139596

Способ получения квазибикристаллических структур оксида цинка

Способ получения квазибикристаллических структур оксида цинка

 Использование: в электронном материаловедении. Сущность: методом магнетронного распыления с использованием маски наносят тонкий текстурированный слой базисной ориентации на часть монокристаллической подложки Al2O3, температура которой не превышает 500 К. Выращивают на всей поверхности подложки методом химических транспортных реакций эпитаксиальные слои, обеспечивающие формирование выраже...

2202138