Жегалин В.А.

 Использование: в технологии полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: гетероструктура на основе арсенида-антимонида-висмутида индия включает эпитаксильный слой, содержащий индий, мышьяк, сурьму и висмут при следующем соотношении компонентов, ат.%: индий 50, сурьма 44 - 46, висмут 0,3 - 0,5 и мышьяк - остальное, и подложку антимонида индия. Новым является наличие второго эпитакси...

 Использование: технология полупроводников, для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых приборов методом жидкофазной эпитаксии. Устройство, включающее корпус 1, емкости для исходных 3 и отработанных 2 растворов- расплавов, поршни 7, ячейки для подложек 13, средства перемещения 17, 19, систему каналов и отверстий для принудительной подачи и удаления растворов-распла...