Матовников В.А.

 (19)SU(11)1056807(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/205(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых эпитаксиальных структур. Для...

 (19)SU(11)1105075(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/205(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ Изобретение относится к технологии получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы, в частности, может быть исп...

 Использование: в микроэлектронике, технологии структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: по способу получения структур с диэлектрической изоляциеи проводят механическую обработку кремниевых подложек, формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями, скрытый слой, слой диоксида кремния и слой поликристаллического кремния тол...

 Использование: в полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: предлагаемый способ создания эпитаксиальных структур состоит в том, что для предотвращения появления прослоек в рабочем эпитаксиальном слое, перед наращиванием рабочего высокоомного слоя на подложку n+-типа наращивают пер...

 Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: забракованные пластины подвергают финишной и суперфинишной обработке, удаляя сформированные рабочие слои с рабочей стороны пластины. После указанной обработки рабочие слои формируют на обратной стороне пластины. В результате получают возможность повторного использования забракованных пластин. Изобретение относится к электр...

 Использование: технология полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых структур включает соединение исходной подложки через соединительный слой с опорной подложкой, удаление части исходной подложки, формирование активных элементов. Со стороны соединительного слоя на исходной подложке формируют низкоомный слой, в качестве опорной подложки использу...