Ананичев В.А.
Изобретатель Ананичев В.А. является автором следующих патентов:

Способ получения халькогенидного стекла ges2
Изобретение относится к химии, а именно к способам синтеза стеклообразного GeS2 . Сущность изобретения: способ включает загрузку шихты в двухкамерный реакционный сосуд, нагревание, создание градиента температур, выдержку и закалку, причем в качестве шихты используют сплав Ge2S3Br2 , нагревают его до 500 - 550°С, обеспечивая градиент от температуры синтеза в одной камере до комнатной темпе...
2021218
Способ получения теллура высокой чистоты
Использование: препаративная химия, получение теллура высокой чистоты. Сущность способа: процесс ведут в двух сообщающихся сосудах. В один сосуд помещают теллурсодержащий сплав Te1-xClx, где x=0,40-0,66. Оба сосуда герметизируют. Сплав нагревают до 425-450oC. После выделения теллура в первом сосуде во втором сосуде конденсируются примеси, находящиеся в жидкой фазе. Второй сосуд герметизир...
2085482
Галогенсодержащее халькогенидное стекло
Изобретение относится к галогеносодержащим халькогенидным стеклам, прозрачным в инфракрасной области спектра. Технической задачей изобретения является повышение температуры размягчения и увеличение показателя преломления. Халькогенидное стекло имеет следующий состав, мол.%: S 52,2-31,6, Sb 34,8-21,0, PbI2 47,4-13,0. Предлагаемое стекло прозрачно в области длин волн от 2-15 мкм, имеет темп...
2140398
Способ получения стекол asxs1-x(x=0,10-0,45), asxse1- x(x=0-0,60)
Изобретение относится к способам синтеза стекол AsxS1-x(х = 0,10-0,45), AsxSe1-x (х = 0-0,60) и может быть использовано в различных областях электронной техники, волоконной оптики, электронографии. Задачей изобретения является снижение температуры синтеза и увеличение прозрачности стекол в диапазоне частот 750-4000 см-1. В реакционную камеру, содержащую As, S и Se, вводят дополнительно Cl...
2152364
Способ получения стекол gex s1-x (x=0,1-0,5)
Изобретение относится к области химии и может быть использовано для синтеза стекол GexS1-x(X= 0,1-0,5) особой чистоты. Задачей изобретения является снижение температуры синтеза и увеличение прозрачности стекол GexS1-x(X= 0,1-0,5) в диапазоне частот 1500-4000 см-1. В способе получения стекол GexS1-x(X= 0,1-0,5), включающем загрузку элементарных Ge и S в реакционную камеру, вакуумирование,...
2186744