Масловский В.М.

 Изобретение может использоваться для выявления потенциально ненадежных структур при изготовлении полупроводниковых приборов на основе МДП - структур. Цель изобретения - повышение достоверности испытаний - достигается воздействием на структуры магнитным полем, инициирующем эволюцию примесно-дефектных комплексов в полупроводниках. Способ заключается в измерении при одинаковых условиях инфор...

 Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления электрически непрограммируемых МДП-элементов памяти с большим числом циклов переключения. Целью изобретения является увеличение числа циклов переключения МДП-элемента памяти. Для достижения цели по способу изготовления МДП-элемента памяти, включающему выращивание на кремниев...

 Изобретение относится к области электросвязи и вычислительной техники, а конкретнее к области криптографических способов и устройств для шифрования данных. Целью изобретения является повышение скорости шифрования. Способ включает формирование ключа шифрования в виде совокупности подключей, разбиение блока данных на N 2 подблоков и поочередное преобразование подблоков путем выполнения дву...

 Изобретение относится к электросвязи и вычислительной технике, а конкретнее к криптографическим способам и устройствам для шифрования данных. Техническим результатом, достигаемым изобретением, является повышение скорости шифрования. Способ включает формирование ключа шифрования в виде совокупности подключей, разбиение блока данных на N 2 подблоков и поочередное преобразование подблоков п...

 Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления дискретных МДП-транзисторов и интегральных микросхем. Технический результат изобретения - упрощение способа и повышение точности подгонки порогового напряжения МДП-транзистора. Сущность изобретения: способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формировани...

 Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления дискретных МДП-транзисторов и интегральных микросхем. Технический результат изобретения - упрощение способа и повышение точности подгонки порогового напряжения МДП-транзистора. Сущность изобретения: способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика с электронны...