Криворотов Н.П.

  Сущность изобретения: предлагается способ контроля полупроводниковых приборов, позволяющий отбраковывать только приборы с дефектами, препятствующими обеспечению нужного уровня качества, при этом не повреждаются приборы, таких дефектов не содержащие. К контролируемым приборам прикладывают гидростатическое давление, при котором отказывают все приборы с дефектом данного типа. 2 ил. Изобрете...

 Изобретение относится к технике измерения давлений в жидкостях и газах. В чувствительный элемент, содержащий полупроводниковый кристалл с чувствительными к всестороннему сжатию резисторами (барорезисторами), дополнительно введена керамическая пластина, на периферийной части поверхности которой сформированы электроды в виде контактных площадок, а в центральной - выемка, в которой размещен...

 Использование: изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, а именно к твердотельным источникам света. Техническим результатом изобретения является изготовление мощного, малогабаритного, технологичного в производстве источника света. Сущность: устройство содержит размещенные в N углублениях основания электролюминесцирующие полупроводниковые кристаллы с p-n переходами...

 Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к полупроводниковым излучающим диодам и может быть использовано для создания мощных источников электромагнитного излучения инфракрасного (ИК) и видимого диапазона спектра в оптических и электронно-оптических системах, предназначенных для использования в различных областях техники. Технический результат изобретения заключается в повышени...