Лященко Б.Г.

 Изобретение может быть использовано в ядерной технологии. Слиток поли- или монокристаллического полупроводникового материала помещают в сосуд высокого давления, подключенный к гидрокомпрессионной установке, заливают и кристаллизуют висмутовую или из висмутового сплава оболочку вокруг слитка полупроводникового материала с приблизительно равными по величине стенкой оболочки и диаметром слит...

 Предложен способ получения ядерно-легированного кремния n-типа, при котором слиток исходного кремния обогащают в N раз стабильным изотопом 30Si и облучают нейтронами. По основной ядерной реакции (n, ) на стабильном изотопе 30Si, содержащемся в естественной смеси изотопов кремния, получают нужную концентрацию донорной примеси 31P. Затем проводят дезактивацию слитка, его дозиметрический кон...

 Использование: технология получения р-n-переходов. Сущность изобретения: в способе изготовления р-n-перехода, легированного элементами или стабильными изотопами с аномально высоким сечением поглощения тепловых нейтронов (литий, бор и другие), диффузионную загонку легирующей примеси осуществляют путем помещения сборки "пластина основного материала + источник диффузии" в облучательный канал...

 Использование: в производстве легированного кремния. Технический результат - снижение концентрации радиационных дефектов. Сущность: в способе согласно изобретению облучение проводят не в реакторе непрерывного действия, а в высокопоточном импульсном реакторе, когда флюенс за один импульс приближается к 1017 см-2, а длительность импульса на полувысоте составляет от сотой секунды до сотых до...

 Предлагаемое изобретение относится к технологии разделения изотопов при крупномасштабном производстве кремния полупроводниковой чистоты. Технический результат: снижение затрат сырья при организации замкнутого химического цикла в крупномасштабном производстве. Сущность изобретения: осуществляют химический обмен между простыми кремнийсодержащими соединениями - газофазным веществом SiH4 и жи...

 Изобретение может быть использовано в технологии получения монокристаллов полупроводников, в частности кремния. Сущность изобретения: для создания переохлаждения в пограничном слое между расплавом и гранью растущего кристалла используют электромагнитные поля, приводящие в движение расплав. В результате теплоотвод осуществляется в основном через расплав. Производительность процесса при его...