Дмитриев В.К.

 Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими ш...

  Сущность изобретения: продукт- [(CH3)2N]2P(O)OR ; БФ C4H12N2PO2K , т. пл. 169-172°С. Реагент 1: [(CH3)2N]3PO . Реагент 2: КОН. Реагент 3: H2O . Условия реакции: при молярном соотношении 1 : 2 : 3-1,0 : 1,0 : 1,3, при 60-65°С. Изобретение относится к химии фосфорорганических соединений с P-N связью, а именно к усовершенствованному способу получения калиевой соли тетраметилдиамидофосфорной...

 Использование: в качестве нагревателя интегрального полупроводникового газового датчика, инфракрасного излучателя адсорбционного оптического газоанализатора, активатора печатающей головки струйного принтера. Технический результат - повышение надежности и долговечности теплового элемента. Сущность: наносят тонкий слой монокристаллического кремния на многослойную диэлектрическую тонкопленоч...

 Использование: в первичных преобразователях концентрации газов в электрические сигналы. Технический результат: снижение энергопотребления и расширение спектра диагностируемых газов газочувствительного датчика на основе полевого транзистора. На поверхность подложки кремния, на котором формируется газочувствительный полевой транзистор с нагревателем из поликремния, наносится многослойная ди...

 Способ изготовления проводящей легированной алмазоподобной нанокомпозитной пленки, имеющей в своем составе в качестве основных элементов углерод, кремний, металл, кислород и водород, осуществляется следующим образом. Размещают в вакуумной камере держатель с подложкой, на которую подают напряжение 0,3-5,0 кВ. Создают газоразрядную плазму с энергетической плотностью более 5 кВтч/г-атом угле...