PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Амосов В.И.

Изобретатель Амосов В.И. является автором следующих патентов:

Устройство для снижения лучевой нагрузки при рентгенопневмополиграфии

Устройство для снижения лучевой нагрузки при рентгенопневмополиграфии

 Использование: в медицине, а именно в рентгеновской технике и рентгенодиагностике для раннего распознавания заболеваний органов внешнего дыхания. Сущность изобретения: устройство для снижения лучевой нагрузки при рентгенопневмополиграфии содержит источник рентгеновского излучения, электродвигатель, соединенный с рабочими секторами, рентгенопневмополиграфический и отсеивающий растры с возм...

2102926

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

 Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса. Устройство включает цилиндрическую камеру с крышкой, тигель для расплава, затравкодержатель, закрепленный на штоке с возможностью перемещения, камера выполнена двухсекционной и с механизмом вертикального перемещения с...

2222644

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

 Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов из расплава на затравочном кристалле включает цилиндрическую камеру с крышкой, тепловой узел, тигель для расплава, затравкодержатель, закрепленный на што...

2222645

Способ выращивания монокристаллов из расплава

Способ выращивания монокристаллов из расплава

 Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов на затравочном кристалле из тигля с формообразователем заключается в том, что выращивание проводят при соответствии кристаллографических граней затра...

2222646

Способ выращивания монокристаллов из расплава

Способ выращивания монокристаллов из расплава

 Изобретение относится к производству монокристаллов и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова для получения объемных профилированных калиброванных монокристаллов больших диаметров с высокой степенью совершенства структуры. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов на затравочном кристалле из (в...

2222647