Кривелевич С.А.

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: в способе формирования твердотельных наноструктур поверхность материала облучают потоком ионов под углом, отличным от нормали. Период получаемой структуры для каждого материала задают подбором типа ионов и величин температуры обрабатываемого материала, энергии ионов и угла их падения. Для генерирования потока ионов выбирают вещество,...

 Изобретение относится к способам создания многослойных структур "кремний на изоляторе" с захороненным слоем изолятора. Способ включает имплантацию ионов кислорода в подложку кремния с достехиометрическими дозами с образованием в ней диоксида кремния, имплантацию ионов, содержащих другое вещество, с энергией, обеспечивающей близкое расположение или совпадение максимума профиля концентрации...