PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПОЛЯКОВ В.И.

Изобретатель ПОЛЯКОВ В.И. является автором следующих патентов:

Фильтрующая центрифуга

Фильтрующая центрифуга

  1. ФИЛЬТРУЮЩАЯ ЦЕНТРИФУГА для суспензии, содержащая установленный в корпусе на валу ротор с разгонной конической чашей, отличающаяся тем, что, с целью болееполного разделения суспензии, она снабжена дополнительной разгонной конической чашей аналогичной конструкции, установленной над первой с образованием щели для прохода разделяемой суспензии,2. Фильтрующая центрифуга по п. 1, отл...

398074

Способ определения величины заряда на границе раздела в пленочных структурах

Способ определения величины заряда на границе раздела в пленочных структурах

  О П 1 786728 Союз Йоветскйх Социалистических Республик ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Доиолиитсл?иию к авт. свид-ву— (22) 3 а явлсl?o 20.04.79 (21) 2755605 18-25 (5!) Л1. Кл." Н 01 I. 21, 66 с ?11? I (co c; I? I kloñk kilo 3? 3 а и в1. и & Государственный комитат СССР по делам изобретений и открытий (23) I1ðèoðèToT— l o3) У.(К 621.382 (088.8) Опублико?111??о...

786728

Устройство для измерения параметров поверхностных состояний на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах

Устройство для измерения параметров поверхностных состояний на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ, содержшдее источник питания, измеритель стекающего заряда, первый электронный 1 S-i ключ для подсоединения исследуемой структуры к источнику питания, второй электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к измерителю стекающего заряда, регистрирующий прибо...

1025291

Способ определения емкости материала с большей шириной запрещенной зоны в гетеропереходах и мдп-структурах

Способ определения емкости материала с большей шириной запрещенной зоны в гетеропереходах и мдп-структурах

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе. Целью изобретения является расширение функциональных возможностш и повышение точности измерения емкости. Согласно изобретению исследуемый образец освещают модули...

1389606

Способ определения емкости области пространственного заряда в полупроводнике и диэлектрика полупроводниковых структур

Способ определения емкости области пространственного заряда в полупроводнике и диэлектрика полупроводниковых структур

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения емкости области пространственного заряда и диэлектрика в полупроводниковых структурах. Целью изобретения является повышение точности и обеспечение определения емкости области пространственного заряда в гетеропереходах . Образец, содержащий гетеропереход , освещают светом, поглощаемым в мат...

1402201


Двумерный оптический модулятор

Двумерный оптический модулятор

  Изобретение относится к оптическим методам обработки информации, в частности , для избирательной пространственной модуляции света. Цель изобретения - повышение контрастности двумерного оптического модулятора. Двумерный оптический модулятор состоит из последовательно оптически связанных через пластину 1 из электрооптического материала с выступами 2 и участками 3 приложения электри...

1588162