Владимир А.Дмитриев (RU)

 Использование: изобретение относится к способу попучения эпитаксиальных слоев карбида кремния, которые являются по существу свободными от дефектов в виде микротрубочек. Способ включает рост эпитаксиального слоя карбида кремния на подложке из карбида кремния путем жидкофазной эпитаксии из расплава карбида кремния в кремнии и в элементе, который увеличивает растворимость карбида кремния в р...