Зверева Р.И.
Изобретатель Зверева Р.И. является автором следующих патентов:

Шихта для выращивания монокристаллов бариевого гексаферрита
(19)SU(11)403300(13)A1(51) МПК 6 C01G49/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - нет данныхПошлина: (54) ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БАРИЕВОГО ГЕКСАФЕРРИТА Изобретение предназначено для получения ферромагнитных монокристаллических материалов, применяемых в радиоэлектронике. Для монокристаллов бариевог...
403300
Способ изготовления сферических изделий из монокристаллов феррограната
Изобретение относится к абразивной обработке монокристаллических материалов для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов. Цель изобретения увеличение выхода годных изделий за счет обеспечения оптимальной ширины и однородности кривой ферромагнитного резонанса. Способ включает резку монокристаллов на кубические загото...
1482034
Монокристаллический материал на основе гексаферрита бария
Изобретение относится к монокристаллическим ферритовым материалам, используемым для создания твердотельных СВЧ-приборов, работающих в диапазоне сантиметровых длин волн 9 30 ГГц. Обеспечивает увеличение температуры Кюри Tc повышение за счет этого термостабильности рабочей частоты и расширение частотного диапазона при сохранении узкой ширины кривой ферромагнитного резонанса. Материал имеет...
1693908
Шихта для выращивания монокристаллов на основе бариевого гексаферрита
Изобретение относится к получению ферромагнитных монокристаллических материалов с гексагональной структурой, применяемых в электронике. -MFe12O19 , где М = Ba, Sr, Ba-Sr, которые используют в качестве высокодобротных резонаторов в СВЧ-приборах миллиметрового диапазона. Обеспечивает ускорение процесса и повышение выхода годных сфер для резонаторов за счет снижения анизотропии механических...
1707999