Клевков Ю.В.

 Изобретение может быть использовано в производстве высокочистых материалов для полупроводниковых приборов, синтезе и очистке нестехиометрических кристаллических соединений полупроводникового класса А2В6, A2B5 и А4В6. Кристаллическое соединение помещают в рабочую часть и, переводя многократно в газовую фазу и обратно, очищают от примесей. Предварительно проводят в этом же реакторе синтез о...