PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Цеглеев А.А.

Изобретатель Цеглеев А.А. является автором следующих патентов:

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Шихту лангасита синтезируют твердофазным синтезом, помещают в иридиевый тигель, установленный в тепловой узел ростовой установки "Кристалл-3М". В контакт с поверхностью расплава вводится вращающийся затравочный кристалл, ор...

2143015

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката

 Изобретение относится к получению шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского. Задачей изобретения является получение профилированных таблеток шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката и сокращение предварительных операций подготовки шихты. Взвешенные в расчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты - оксид лантана,...

2147048

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

 Изобретение относится к получению лантангаллиевого силиката, применяемого для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Техническим результатом изобретения является совмещение процессов наплавления, затравливания и роста в одном технологическом цикле при выращивании лантангаллиев...

2147632

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14)

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14)

 Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихт...

2160796

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14)

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14)

 Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение поликристаллической шихты в компактном виде, в форме профилированных таблеток для выращивания мон...

2160797


Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения

Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения

 Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и объемных акустических волнах (ОАВ). Сущность изобретения: в качестве монокристалла для изготовления дисков в устройствах на ПАВ используют монокристалл лантанголлиевого ниобата или лантангаллиевого танталата с диаметром 86-110 мм в направлении термостабильно...

2172362

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция

 Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2Ge4O14). Сущность изобретения: в способе твердофазного синтеза проводят смешивание предварительно прошедших термообработку оксидов элементов, входящих в состав выращива...

2194808