PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Горохов В.П.

Изобретатель Горохов В.П. является автором следующих патентов:

Устройство для считывания координат треков искровой камеры

Устройство для считывания координат треков искровой камеры

 (19)SU(11)613645(13)A1(51)  МПК 6    G06K11/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ КООРДИНАТ ТРЕКОВ ИСКРОВОЙ КАМЕРЫ Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности к устройствам для считывания координат треков искровой камеры с це...

613645

Устройство для обезгаживания микроканальных пластин

Устройство для обезгаживания микроканальных пластин

 Изобретение относится к электронной технике и может использоваться для обезгаживания микроканальных пластин в равномерном потоке электронов. Цель изобретения повышение производительности достигается за счет использования цилиндрической геометрии источников потока электронов, что позволяет обеспечить одновременную обработку партии микроканальных пластин в равномерном потоке электронов. Уст...

1428091

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Шихту лангасита синтезируют твердофазным синтезом, помещают в иридиевый тигель, установленный в тепловой узел ростовой установки "Кристалл-3М". В контакт с поверхностью расплава вводится вращающийся затравочный кристалл, ор...

2143015

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката

 Изобретение относится к получению шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского. Задачей изобретения является получение профилированных таблеток шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката и сокращение предварительных операций подготовки шихты. Взвешенные в расчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты - оксид лантана,...

2147048

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского

 Изобретение относится к получению лантангаллиевого силиката, применяемого для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Техническим результатом изобретения является совмещение процессов наплавления, затравливания и роста в одном технологическом цикле при выращивании лантангаллиев...

2147632


Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14)

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14)

 Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихт...

2160796

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14)

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14)

 Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение поликристаллической шихты в компактном виде, в форме профилированных таблеток для выращивания мон...

2160797

Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения

Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения

 Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и объемных акустических волнах (ОАВ). Сущность изобретения: в качестве монокристалла для изготовления дисков в устройствах на ПАВ используют монокристалл лантанголлиевого ниобата или лантангаллиевого танталата с диаметром 86-110 мм в направлении термостабильно...

2172362