Мильвидский М.Г.

 (19)SU(11)1083848(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/322(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристалличес...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии. Перед отжиго...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин. Цель достигается тем, что проводят сначала отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200°С, а затем - отжиг в окислительной среде при 430 - 450°С и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750°С в течение 4 - 6 ч и 1000 - 1050°С. Причем продолжительность отжигов...

 Использование: полупроводниковая техника, фотоприемники. Сущность: структуру (С) получают методом жидкофазной эпитаксии. Подложку InP сначала отжигают при 300 10 °С, затем при температуре выше и равной температуре эпитаксии под защитной пластиной InP. Процесс эпитаксии ведут при 710 + 10°С. Получают слои Jn0,53Ga0,47As с концентрацией носителей n < 11015 см-3 , имеющие повышенную фото...

 Использование: изобретение относится к оборудованию, используемому для получения искусственных кристаллов из расплава, преимущественно в условиях невесомости. Изобретение направлено на повышение равномерности распределения основных компонентов сложных соединений и примесей по объему кристаллов, выращиваемых различными методами из расплава. Сущность изобретения. Контейнер содержит сосуд и...

 Использование: изобретение относится к получению искусственных кристаллов, используемых в различных областях техники и направлено на повышение однородности выращиваемых кристаллов путем сохранения поверхностной пленки во время всего процесса роста кристалла. Сущность: способ выращивания кристаллов в невесомости включает нанесение пленки на поверхность исходного слитка, при этом пленку вып...

 Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для получения в условиях микрогравитации кристаллов различного состава, применяющихся во многих областях техники. Техническим результатом изобретения является исключение контакта растущего кристалла со стенками ампулы и повышение за счет этого качества выращиваемых кристаллов. Ампула для выращивания кристаллов в услов...

 Изобретение относится к технологии получения искусственных монокристаллов в условиях микрогравитации, используемых в различных областях техники. Техническим результатом изобретения является исключение контакта расплава исходного вещества со стенками кристаллизационной камеры в процессе выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации в условиях микрогравитации. Способ получения...

 Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей. Способ может найти применение при производстве полупроводниковых приборов, работающих в полях ионизирующего излучения: в космосе, атомных реакторах и др. Сущность изобретения. способ получения резистентного кремния n-типа прово...