ЗАРИПОВ М.М.
Изобретатель ЗАРИПОВ М.М. является автором следующих патентов:

Способ получения голограмм на полупроводниковом материале
О Л -И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 00 440368 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 17.12.71 (21) 1726585/23-4 с присоединением заявии № (51) М. Кл. С 07с 139/00 Государственный комитет Совета Министров СССР (32) Приоритет 18.12.70 (31) WP С07с 152/035 (33) ГДР Опубликовано 25.08.74. Бюллетень № 31 (53) УДК...
440368
Способ легирования полупроводников
Союз Советских Социалистических Республик (ц504435 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 21.02,74 (21) 1998977/26-25 (5t)A%. Кл. Н 01 g 21/265 с присоединением заявки 1те тооударственный комитет СССР (23) Прморитет по делан нзобретеннй н открытий Опубликовано 27.12.82. Бюллетень М 42 Дата опубликования описания 2...
504435
Способ получения голограмм на полупроводниковом материале
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик «i>578784 >Й I (61) Дополнительное к авт. саид-ву Р 490368 (22) Заявлено 1006.76 (21) 2370522/18-25 с присоединением заявки М— (23) Приоритет Опубликовано 25.1279. Бюллетень Hо 47 Дата опубликования описания 28.1 279 (51)М. Кл. G 03 Н 1/18 Госурарствениый коиитет СССР по делам из...
578784
Способ получения тонких магнитных пленок в полупроводниках
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий введение атомов магнитных элементов с применением ионных пучков , отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности, твердости, химической стойкости и адгезии магнитной пленки к полупроводнику, бомбардировку полупроводника осуществляют ионами магнитных элементов с энергией 10500 кэВ, дозой обл...
1114246
Способ получения черни для поглотителей излучения
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЧЕРНИ ДЛЯ ПОГЛОТИТЕЛЕЙ ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий ионную бомбардировку поверхности полупроводниковой подложки, о т л №чающийся тем, что, с целью ;улучшения качества поглощаницей поверхности , в качестве материала подложки используют кремний, а бомбардировку проводят ионами переходных 3d-элементов с энергией ионов 20- 200 кэВ дозой 8« 4-10® ион/cijt и плотностью потока...
1162341