PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ШТЫРКОВ Е.И.

Изобретатель ШТЫРКОВ Е.И. является автором следующих патентов:

Способ получения голограмм на полупроводниковом материале

Способ получения голограмм на полупроводниковом материале

  О Л -И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 00 440368 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 17.12.71 (21) 1726585/23-4 с присоединением заявии № (51) М. Кл. С 07с 139/00 Государственный комитет Совета Министров СССР (32) Приоритет 18.12.70 (31) WP С07с 152/035 (33) ГДР Опубликовано 25.08.74. Бюллетень № 31 (53) УДК...

440368

Способ легирования полупроводников

Способ легирования полупроводников

  Союз Советских Социалистических Республик (ц504435 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 21.02,74 (21) 1998977/26-25 (5t)A%. Кл. Н 01 g 21/265 с присоединением заявки 1те тооударственный комитет СССР (23) Прморитет по делан нзобретеннй н открытий Опубликовано 27.12.82. Бюллетень М 42 Дата опубликования описания 2...

504435

Способ получения голограмм на полупроводниковом материале

Способ получения голограмм на полупроводниковом материале

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик «i>578784 >Й I (61) Дополнительное к авт. саид-ву Р 490368 (22) Заявлено 1006.76 (21) 2370522/18-25 с присоединением заявки М— (23) Приоритет Опубликовано 25.1279. Бюллетень Hо 47 Дата опубликования описания 28.1 279 (51)М. Кл. G 03 Н 1/18 Госурарствениый коиитет СССР по делам из...

578784

Способ определения температуры кристалла при импульсном нагреве

Способ определения температуры кристалла при импульсном нагреве

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕ РАТУРЫ КРИСТАЛЛА ПРИ ИМПУЛЬСНОМ НАГРЕВЕ путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и быстродействия определения, кристалл облучают пучком электронов с энергией 30-150...

1031293