ГАЛЯУТДИНОВ М.Ф.
Изобретатель ГАЛЯУТДИНОВ М.Ф. является автором следующих патентов:

Способ получения голограмм на полупроводниковом материале
О Л -И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 00 440368 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 17.12.71 (21) 1726585/23-4 с присоединением заявии № (51) М. Кл. С 07с 139/00 Государственный комитет Совета Министров СССР (32) Приоритет 18.12.70 (31) WP С07с 152/035 (33) ГДР Опубликовано 25.08.74. Бюллетень № 31 (53) УДК...
440368
Способ легирования полупроводников
Союз Советских Социалистических Республик (ц504435 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 21.02,74 (21) 1998977/26-25 (5t)A%. Кл. Н 01 g 21/265 с присоединением заявки 1те тооударственный комитет СССР (23) Прморитет по делан нзобретеннй н открытий Опубликовано 27.12.82. Бюллетень М 42 Дата опубликования описания 2...
504435
Способ определения температуры кристалла при импульсном нагреве
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕ РАТУРЫ КРИСТАЛЛА ПРИ ИМПУЛЬСНОМ НАГРЕВЕ путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и быстродействия определения, кристалл облучают пучком электронов с энергией 30-150...
1031293
Способ отжига имплантированных слоев кремния
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем с применением техники ионного легирования. Цель изобретения - повышение эффективности отжига за счет более полного устранения дефектов и активации имплантированной примеси. Полированные пластины кремния имплантируют ионами, затем помещают в криостатную систему, позволяющую обеспечить к...
1584649