Маскаева Л.Н.

 Изобретение может быть использовано в экологии. Способ формирования полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота состоит в одностадийном химическом осаждении на диэлектрическую подложку тонкой пленки сульфида свинца. Формирование пленки осуществляется из реакционной смеси, содержащей соль свинца, тиомочевину, трехзамещенный лимоннокислый натрий, гидроокись аммония...