ОРЕШКИН ПАВЕЛ ТИМОФЕЕВИЧ

  о и и с-3Рн-ii ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1») 449380 Саюв. Советских Социалистических Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10.07.72 (21) 1810559/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 05.11.74. Бюллетень № 41 Дата опубликования описания 26.05.75 (51) М. Кл. Н Olg 13, 00 Н Olg 7/02 Государственный комитет Совета Мини...

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,11 498330 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.01.73 (21) 1877619/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 05.01.76. Бюллетень № 1 Дата опубликования описания 19.04.76 (51) М, Кл г G 11С 7 00 Государственный комитет Совета Министров СССР ло делам из...

  О П И С А Н И Е,993332 ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 19.05.81 {2l ) 3292854/18-24 Ю (5! )М. Кл. 811 С ll/40 с присоединением заявки 34 511 С 7/OO Гвеударстеекквй квинтет СССР Io лавам нзебретевкй н аткрытнй (23)Приоритет Опубликовано 30.01.83. Бюллетень,% 4 Дата опубликов...

  ОП ИСАНИЕ И ЗОВРЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соктв Советских Социалистических Республик (и) 3 005221 (6! ) Дополннтельное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 18.05.81 (21) 3291704/18-25 (5I)M. Кл. Н 01 4 21/66 с присоединением заявки (те твсу4щстееевмй кемвтет CCCP (23) Приоритет (5Ç) УДК621.382 (088.8) Опубликовано 15.03.83. Бюллетень Мт10 Дата опубликования описания 15...

  Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров nor лупроводников. Цель изобретения - обеспечение возможности определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниках с высокой концентрацией центров, дающие глубокие уровни . Изобретение основано на явлении возникновения колебаний тока в цепи, содержащей поверхностно-барьерный переход , и температурной зави...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, к устройству для определения параметров глубоких центров в полупроводниковых структурах. Цель изобретения - повышение точности измерений путем повышения чувствительности следящей системы. Устройство содержит криостат с размещенной в нем полупроводниковой структурой, блок измерения и регулирования температуры, источник импульсного...