РЫЧКОВ ГЕННАДИЙ СЕРГЕЕВИЧ
Изобретатель РЫЧКОВ ГЕННАДИЙ СЕРГЕЕВИЧ является автором следующих патентов:
Устройство для определения координат и величины максимума распределения средней по времени интенсивности светового потока
ОП ИСАЙИй:ИЗОБРЕТЕН ИЯ -w) 450I 96 Сыз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 05.01.73 (21) 1876731/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 15.11.74. Бюллетень № 42 Дата опубликования описания 27.05.75 (51) М. Кл. G 06g 9/00 Государственный комитет Совета Министров СССР до делам...
450196Способ считывания сигнала с полупроводникового фотоприемника на р-п переходах
ВСЕОО .-, НА«) c f a сн(-;;л„,, 1 „:на я д c f a (11) 579б 54 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заввлено140775 (21) 2156103/24 с присоединением эайвкн Ю— (вЗ) Приоритет— (43) Опубликовано 051177,Бюллетень % 41 (45) Дата опубликований описаний,10.1277 (51) М. Кл. G 11 С 11/34 (ВВ1)(й 81эенВН1 aailfaT Ввмтв laaaasysa 6OCF аа рпв aaalyawaa и л...
579654Фотоэлектрический преобразова-тель
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Х АВТРРСХОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических. Республик (ii) 822291 Ф l (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 04. 07 ° 78 (21) 2636665/18-24 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет. 09. 10. 75 Опубликовано 15.0481. Бюллетень № 14 Дата опубликования описания 150481 (51)М. Кл.з G 11 С 11/42 Государственныф комитет СССР Ilo...
822291Полевой трансистор
Сото э Советских Соцнапнстнческнх Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и)1005224 (6I ) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлеио09.06.80 (21) 2938199/18 25 (5I }M. Кл. Н 01 L 29/78 с присоединением заявки №вЂ” Гееуаарствееей кетелтет (23) Приоритет- Опубликовано 15.03.83.. Б|оллетень ¹ 10 Дата опубликования описания 15,03.83 le млаи лзебретел...
1005224Интегральная схема на основе арсенида галлия
Использование: в интегральных цифровых схемах на GaAs. Цель изобретения - увеличение частотного диапазона ИС в сторону низких частот. На подложке 1 из i GaAs расположен зпитаксиальный слой 2 n-типа проводимости с концентрацией примеси 10 см , на которой находятся контакты истока 3 и стока 4. Между ними расположен затвор в виде областей 5а-5б из G.aAs р-типа проводимости с концент...
1806421