Тригуб В.И.

  Использование: проекционные приборы. Сущность изобретения: излучение от лампы 2, отражаясь от сферического отражателя 1 и эллипсоидного отражателя 3, попадает на оптический отражатель, выполненный в виде двух прямоугольных призм 5, расположенных на одном валу 6 и развернутых друг относительно друга на угол 90 град. Затем свет, отражаясь от граней 7, проходит через одну из диафрагм 12 или...

 Использование: приборы квантовой электроники, а именно мощные твердотельные лазеры. Сущность изобретения: лазер с зигзагообразным активным элементом состоит из открытого оптического резонатора, лампы накачки, и твердотельного, в форме параллелепипеда с прямоугольной гранью в основании активного элемента, состоящего из прозрачных призм и плоскопараллельных пластин из стимулирующего материа...

 Использование: приборы квантовой электроники, а именно мощные твердотельные лазеры. Сущность изобретения: лазер с зигзагообразным активным элементом из пакетов пластин состоит из открытого оптического резонатора, ламп накачки, твердотельного, в форме параллелепипеда с прямоугольной гранью в основании активного элемента, состоящего из прозрачных призм и плоскопараллельных пластин из стимул...

 Изобретение относится к приборам квантовой электроники, а именно к мощным твердотельным лазерам. Сущность изобретения: лазер состоит из открытого оптического резонатора 1, ламп накачки 2, твердотельного, в форме кругового цилиндра, активного элемента 3. Цилиндрический активный элемент 3 имеет внутри соосно расположенный канал 4, частично заполненный ртутью 5, концы канала имеют электричес...

 Использование: изобретение относится к приборам квантовой электроники, а именно к мощным твердотельным лазерам. Сущность: лазер с цилиндрическим активным элементом состоит: из открытого оптического резонатора, лампы накачки, твердотельного, в форме круглого цилиндрического стержня активного элемента, имеющего продольные канавки. Круглые цилиндрические канавки имеют ширину, равную величине...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при формировании структур методом обратной литографии. В предложенном способе формирования структур микроэлектроники, включающем нанесение на подложку позитивного резиста, экспонирование рисунка, проявление, нанесение дополнительного слоя материала и удаление резиста, на подложку предварительно наносят пленку материала, эк...