Смольская Л.П.

 СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ TL°VA+ В КРИСТАЛЛАХ KCL-TL, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света - кристаллы CsI-Tl, которые предварительно...

 Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного материала в ампулу, его дегидратацию в вакууме, плавление и направленную кристаллизацию в присутствии добавки таллия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости монокристаллов при сохранении оптимальной концентрации рабочих центров, в исходный материал дополнительно вводят иодисты...

  Изобретение относится к термолюминесцентной дозиметрии. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых доз рентгеновского и - излучений в область малых доз до 109 Кл/кг и повышение чувствительности. Цель достигается использованием иттрийалюминиевого граната, активированного окисью самария или окисного церия в количестве 0,5 - 5 мас.%. Возможность использования указанного материала с...

 Способ выращивания монокристаллов хлористого калия, включающий плавление шихты с добавкой соединения галогена, имеющего температуру испарения ниже температуры плавления хлористого калия, выдержку расплава и выращивание из него кристалла на затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента поглощения излучения на длине волны 10,6 мкм, в качестве добавки используют C2F4 в кол...

 Использование: в лазерной технике. Сущность изобретения: способ включает выращивание кристаллов хлористого калия из расплава с добавлением соли таллия. Кристаллы выращивают из расплава по методу Стокбаргера в вакуумированных кварцевых ампулах из соли KCl с добавкой азотнокислого таллия TlNO3. Контроль за содержанием таллия в кристаллах осуществляют по А-полосе поглощения в ультрафиолетово...

 Изобретение может быть использовано в лазерной технике при изготовлении оптических твердотельных перестраиваемых инфракрасных лазеров. Способ создания лазерно-активных центров окраски TloVa+ в кристаллах KCl-Tl включает приведение кристаллов KCl-Tl в оптический контакт с кристаллами Csl-Tl и их одновременное облучение ионизирующей радиацией при температурах 240 - 77 К. Изобретение позволя...