Резниченко М.Ф.

 Изобретение относится к металлургии кремния, а именно к получению трихлорсилана - SiHCl3, используемого в производстве полупроводникового кремния, из тетрахлорида кремния - SiCl4. Способ получения трихлорсилана включает активацию реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ в реакторе проточного типа в парогазовой...