Муравицкий С.А.

 Изобретение относится к металлургии кремния, а именно к получению трихлорсилана - SiHCl3, используемого в производстве полупроводникового кремния, из тетрахлорида кремния - SiCl4. Способ получения трихлорсилана включает активацию реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом высокоэнергетическим пучком электронов с энергией 0,5 - 2,5 МэВ в реакторе проточного типа в парогазовой...

 Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного сырья для выращивания монокристаллов кремния. Установка для получения стержней поликристаллического кремния содержит разъемный реактор 1, вертикальную стойку 2, контейнер 3, подъемник 4, системы электропитания и подачи компонентов 5. Верхняя часть 6 р...

 Изобретение относится к устройствам, предназначенным для испарения и получения парогазовых смесей, и может найти применение в технологии полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния. Установка для получения поликристаллического кремния содержит реактор 1 водородного восстановления кремния, в котором выращивают стержни 2 поликристаллического к...