САЙДАШЕВ И.И.
Изобретатель САЙДАШЕВ И.И. является автором следующих патентов:
![Оптоэлектронная пара Оптоэлектронная пара](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a3439380485f154782a2d935ed351957.jpg)
Оптоэлектронная пара
Союз Советских Социалистимвских Республик (t i) 472681 (бт) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Зая eHo 05.03 73 (2() 1895849/26 25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.07 78,Вюллетен ь е (45) Дата опубликования описания 21,06.78 (51) M. Кл. Н 01 (, 29/20 Н 01 Ь 31/08 Государстеенный ноинтет Совета Инннотроа CCCP оо делам изобретеннй н открытнй (53)...
472601![Фотогальваномагнитный датчик Фотогальваномагнитный датчик](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3a3d9a84f037345133cfa7d36dc7bc9e.jpg)
Фотогальваномагнитный датчик
1. ФОТОГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ' ДАТЧИК, представляющий собой пластину полупроводника с контактами, помещенную в магнитное поле, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных Возможностей, он выполнен на основе варизонного полупроводника с градиентом ширины запрещенной зоны, направленным к освещаемой поверхности, а контакты расположены в плоскости, перпендикулярной направлени...
606475