ВЯЗАНКИНА Г.В.

  СПОСОБ ПОЛ>& :?.НИЯ ЭПИТАК- СИАЛЬНЬК ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ СЛОЕВ АР- СЕНИЦА ГАЛЛИЯ путем выращивания из газовой фазы, например (Ga-AsCl,-Н ),содержащей пары легирующей примеси с глубокими уровнями, отличающийся тем, что, с целью получения структурно соверщенных слоев, обеспечения контролируемого легирования и повышения его технологичности, в качестве легирующей примеси ис...