ОВЧАРЕНКО АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 11476297 Союз Советских Социалистических Республик с II с (61) Дополнительное к авт. свпд-ву— (22) Заявлено 13.10.72 (21) .1837593/23-5 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— Опубликовано 05.07.75. Бюллетень;I¹ 25 Дата опубликования описания 04.02.76 (51) .Ч. 1хл. С 08g 53 00 С 08g 45/00 Государственный комитет Со...

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента. Цель изобретения - повышение структурного совершенства слоев. Способ включает формирование композиции из кремниевых пластин источника и подложки, нагрев композиции, введение в зазор между пл...

  ОК1З Г- 1Вt:1СКИХ СО1!ИАЛИСТИНГСКИХ РЕ с11УВлик (s1)s F 24 3 2/40, 2/52 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (гОс11АтЕнт сссР) ОГ1ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (.- Г:-". К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4912453/06 (22) 20,02.91 (46) 15.03.93. Бюл. N. 10 (75) Н,Н.Овчаренко и А, Н.Овчаренко (56) Патент США -1ч 2987961, кл.350292,1961.. Сборник научнь1х трудов физико-технического и...