ВЛАСЕНКО Л.С.
Изобретатель ВЛАСЕНКО Л.С. является автором следующих патентов:

Способ получения объемных резисторов
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социал исти меских Республик (") 478Ы1 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 05.01.73 (21) 1868658/24-7 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.08.76. Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 03.12.76 (51) М. Кл. Н 01 С 17/00 Гасударственный комитет Совета Мини...
478551
Способ регистрации сигналов электронного парамагнитного резонанса в полупроводниках
Изобретение относится к физике твердого тела, к радиоспектроскопии твердого тела и может быть использовано для изучения структуры и свойств парамагнитных центров в полупроводниках . .Предложенный способ позволяет регистрировать сигналы ЭПР парамагнитных центров в слабых магнитных полях (100-1000 Гс) при концентрао -I ции центров 10 см. Увеличение чувствительности достигается тем,...
1285898