Зюзин С.Е.

 Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, при действии сильных электрических полей. Пленочный датчик электрического поля создан на основе перекристаллизованной пленки n-InSb (полученной перекристаллизацией в вакууме) на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In, пленка n-InSb имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заря...