Урывский Ю.И.

 Использование: в технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста. Сущность изобретения: подложку с экспонированной пленкой фоторезиста размещают на центрифуге, устанавливают над ее поверхностью стеклянную пластину толщиной 3 - 5 мм с зазором 0,5 - 1 мм. Подают на поверхно...

 Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках. Сущность: предложенный способ определения глубины залегания модифицированного посредст...

 Использование: контрольно-измерительная техника технологических процессов производства изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста осуществляется путем измерения параметров поляризованного монохроматического света при отражении его от полупроводниковой пластины с пленкой фоторезиста, по которым в процессе экспонирования опреде...