Чуриков А.А.

 Использование: в технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста. Сущность изобретения: подложку с экспонированной пленкой фоторезиста размещают на центрифуге, устанавливают над ее поверхностью стеклянную пластину толщиной 3 - 5 мм с зазором 0,5 - 1 мм. Подают на поверхно...

  Сущность изобретения: в соответствии со способом измеряют температуру в плоскости подвода тепла внутри эталонного образца и сравнивают величину динамического параметра с максимальной величиной в диапазоне 0,2 - 0,8. В устройство введен программно-управляемый порт микрокалькулятора для синхронного ввода программ через мультиплексор, управляемый внешним таймером. 2 с. и 2 з.п.ф-лы, 5 ил. И...

 Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках. Сущность: предложенный способ определения глубины залегания модифицированного посредст...

 Использование: контрольно-измерительная техника технологических процессов производства изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста осуществляется путем измерения параметров поляризованного монохроматического света при отражении его от полупроводниковой пластины с пленкой фоторезиста, по которым в процессе экспонирования опреде...

 Изобретение относится к области тепловых испытаний твердых и дисперсных материалов, а именно к области исследования теплофизических характеристик этих материалов. Способ комплексного определения теплофизических характеристик твердых и дисперсных материалов заключается в том, что измеряют толщину исследуемого образца и приводят его в тепловой контакт по плоскости с эталонным образцом, терм...

 Использование: в контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности для фотолитографического получения элементов структур на полупроводниковых и других подложках. Сущность изобретения: способ определения температуры стеклования полимерных, в том числе фоторезистных пленок осуществляется путем построения "термооптической кривой", с...