Придачин Д.Н.
Изобретатель Придачин Д.Н. является автором следующих патентов:
Источник атомарного водорода для молекулярно-лучевой эпитаксии
Использование: полупроводниковая техника, в молекулярно-лучевой эпитаксии для предэпитаксиальной подготовки подложек, а также в процессе выращивания эпитаксиальных слоев. Сущность изобретения: источник атомарного водорода содержит две концентрические трубы, средства подачи в источник газа, соединенные с внутренней трубой, расщепитель, служащий для термического разложения молекул газа, сре...
2148871